Automatización de la adquisición y análisis de parámetros indicadores de degradación en MOSFET de potencia
31 Julio 2020 - Google Meet | UNC
Defensa de Trabajo Especial de la Licenciatura en Ciencias de la Computación | Acosta Bazán Alejandra Celestina
Los transistores MOSFET (transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor) de potencia se utilizan principalmente para amplificar o conmutar señales electrónicas. Existen aplicaciones en las que estos transistores trabajan sometidos a condiciones de estrés que, sostenidas en el tiempo, producen cierto nivel de degradación que puede agravarse hasta la rotura del dispositivo. En estos casos resulta de interés conocer el grado de degradación de los MOSFET, el cual se puede identificar analizando sus parámetros físicos y de funcionamiento.
El objetivo del presente trabajo es automatizar la medición de algunos de esos parámetros. Para esto, se desarrolla una herramienta capaz de medir, clasificar, analizar y mostrar los parámetros indicadores de degradación del MOSFET.